應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Semistat 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-20℃ to 90℃

溫度穩定性：±0.1℃

在半導體生產中，等離子刻蝕是工藝鏈的核心，有干法刻蝕和濕法刻蝕之分。

干法蝕刻，即在真空蝕刻室中對半導體板（晶片）進行等離子處理，等離子體中的離子轟擊晶片，從而使材料脫離。例如，硅晶片上的氧化層可以用這種方法去除，然后再涂上摻雜層（添加了外來原子的層，因此具有一定的導電性）。

等離子體的溫度會影響蝕刻的速度和效率。如果溫度過低，等離子體就不夠活躍，無法有效地燒蝕材料。如果溫度過高，材料可能會被過度燒蝕，導致誤差和損壞。

因此，在半導體生產中，對等離子體溫度進行精確的溫度控制非常重要，因為晶片的加工范圍在微米和納米之間。即使溫度發生微小變化，也會導致蝕刻結構的尺寸和形狀發生顯著變化。

LAUDA Semistat 可為干法蝕刻這一敏感工藝提供專門的溫度控制解決方案。LAUDA Semistat 基于帕爾帖原理設計，可以實現快速且準確的溫度控制，并且，與傳統壓縮機相比，可以節省最高達 90% 的能耗。占地空間極小，可以安裝在地板下的夾層中，節省潔凈室空間。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Integral XT 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-50℃ to -60℃

溫度穩定性：±1℃（輸出端）

PVD 技術是指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，通過低壓氣體，或等離子體過程，在晶圓表面沉積成具有某種特殊功能的薄膜的技術。

在沉積過程中，需要保證晶圓的溫度不會因電源照射所產生的熱量急劇上升，晶圓溫度的穩定性是 PVD 工藝的關鍵之一。

晶圓的溫度在工藝過程中通過靜電卡盤（ESC, E-chuck）控制。靜電卡盤為晶圓背面提供支撐，以靜電吸附的方式保證其固定，并為晶圓提供動態恒定的溫度。

LAUDA Integral XT 通過傳輸低溫的全氟化電子液（Galden 冷卻液）來控制設備腔體內靜電卡盤的溫度。控溫精度可高達 ±0.05℃，能夠保證沉積過程中，晶圓溫度的持續穩定。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Variocool 循環恒溫器

工藝設定溫度：20℃ / 60℃

溫度穩定性：±0.1℃（目標水箱溫度）

ECP 是將電解質溶液中的銅離子還原為銅金屬并沉積在晶圓表面的過程。

電鍍時，陽極材料質量、電鍍溶液成分、溫度、電流密度、通電時間、攪拌強度、析出雜質、電源波形皆是造成鍍層質量不佳的因素，需要適時進行控制。 其中溫度控制便是一項重要的溫度參數。 不同鍍層材料和添加劑決定了不同的溫度要求。動態控溫功能和控溫精確度是 ECP 工藝的難點。

LAUDA Variocool 循環恒溫器，可動態精準控溫至 0.1℃，保證電鍍腔體內，水箱內部的液體能夠保持始終保持在 穩定溫度，繼而和化學液進行持續的熱交換。穩定精確的溫度控制可保證良好的電鍍質量。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Integral XT 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-55℃

溫度穩定性：±1℃（輸出端）

EDS 是一種檢驗晶圓狀態中各芯片的電氣特性并由此提升半導體良率的工藝。EDS 可分為五步：電氣參數監控、晶圓老化測試、檢測、修補、點墨。其中，檢測步驟會對晶圓進行溫度、速度和運動測試，以檢驗相關半導體功能。

芯片分選機一般會有溫度控制模塊，需要對模塊提供足夠低的冷源，滿足檢測中的溫度設定值。

LAUDA Integral XT 可以通過傳輸低溫的冷卻液來控制和芯片接觸的模塊的溫度，通過熱傳導，達到對芯片控溫的效果。

大制冷功率以及控溫穩定是此工藝的關鍵所在。也是 LAUDA Integral XT 的優勢所在。

LAUDA 溫度控制專家，可針對半導體行業的各種應用，提供不同型號的高品質溫控設備。如果您正在為您的公司尋找高質量的溫度控制解決方案，歡迎咨詢！

我們是 LAUDA , 我們的溫度控制儀器和設備是許多重要應用的核心，為更美好的未來作出貢獻。我們是電動汽車、氫能源、化工、制藥、生物技術、半導體和醫療技術領域的可靠合作伙伴，在研究、生產和質量控制中保證最佳溫度。65 年來，我們每天都以嶄新面貌支持世界各地的客戶，提供專業的建議和創新的解決方案。